Разработка широкоапертурного плазменного источника ионных потоков для прецизионных технологий АСТ материалов наноэлектроники.

Описание проекта

Аннотация: Разработка и производство полупроводниковых элементов микро и наноэлектроники существенным образом зависит от базовых технологических процессов и специализированного оборудования, которое способно формировать наноструктурированные слои материалов наноэлектроники. Расширение спектра используемых материалов и необходимость их прецизионного и конформного травления требует развития и новых методов получения различных функциональных слоев микроэлектроники. К таким методам можно отнести метод атомно-слоевого травления, который позволяет контролируемо травить ультратонкие пленки толщиной единицы нанометров, осажденные на структуры с высоким аспектным соотношением. В таких технологиях важным элементом является плазменные источники. Создание условий для осцилляции электронов в наносекундном разряде обуславливает эффективную генерацию плазмы с высокой концентрацией, которое делает возможным ускорение ионов до требуемой энергии.

Данный проект направлен на разработку плазменного широкоапертурного источника низкоэнергетичных потоков ионов, пригодного для использования в прецизионной технологии атомно-слоевого травления материалов электронной техники.

Цель проекта: Разработка плазменного широкоапертурного источника низкоэнергетичных потоков ионов для прецизионных технологий атомно-слоевого травления материалов электронной техники.

Задачи проекта:

Разработка цифровой модели конструкции широкоапертурного плазменного источника ионных потоков
Разработка и испытание численной модели широкоапертурного источника низкоэнергетичных потоков ионов для технологии АСТ
Разработка лабораторного макета широкоапертурного источника низкоэнергетичных потоков ионов для технологии АСТ
Проведение испытаний широкоапертурного источника низкоэнергетичных потоков ионов для технологии АСТ

Ожидаемый результат:

Широкоапертурный источник потока низкоэнергетичных ионов для прецизионных аддитивных технологий АСТ

Заинтересованные организации:

Группа компаний МИКРОН
АО НПП КВАНТ
АО «Ангстрем»
ООО «Крокус наноэлектроника»
Институт физических проблем имени П. Л. Капицы РАН

Основные конкуренты

Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands
Oxford Instruments Plasma Technology, North End, Bristol, BS49 4AP, United Kingdom
University of Illinois Department of Electrical and Computer Engineering Urbana, IL 61801
U.S. Naval Research Laboratory, 4555. Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375
Syntek Technologies, 2751 Prosperity Ave. Suite 460 Fairfax, Virginia 22031
ONR Global, 86 Blenheim Cres, Ruislip HA4 7HB, United Kingdom
Mechatronics R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd, 1-1 Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea
Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109-2122

Конкурентные преимущества