Разработка плазменного источника ленточных электронных потоков для прецизионных аддитивных технологий

Описание проекта

Аннотация: Совершенствование современных технологий модификации поверхностных свойств материалов электронной промышленности стимулирует разработку новых плазменных источников электронных пучков без использования громоздких и сложных электронных ускорителей электронов. Данный проект направлен на разработку плазменного источника ленточных электронных пучков на основе высоковольтных наносекундных разрядов с газоразрядных системах с полым катодом.

Цель проекта: Разработка плазменного источника ленточных электронных пучков при средних давлениях газа.

Задачи проекта:

Разработка цифрового двойника источника ленточных электронных пучков;
Разработка прототипа источника ленточных электронных пучков;
Тестирование источника ленточных электронных пучков.

Ожидаемые результаты:

Плазменный источник ленточных электронных пучков с энергией электронов до 1 кЭв.

Заинтересованные организации:

Группа компаний МИКРОН
АО НПП КВАНТ
АО «Ангстрем»
ООО «Крокус наноэлектроника»
Институт физических проблем имени П. Л. Капицы РАН

Основные конкуренты

Eindhoven University of Technology, PO Box 513, 5600 MB Eindhoven, The Netherlands
Oxford Instruments Plasma Technology, North End, Bristol, BS49 4AP, United Kingdom
University of Illinois Department of Electrical and Computer Engineering Urbana, IL 61801
U.S. Naval Research Laboratory, 4555. Overlook Ave. SW, Washington, DC 20375
Syntek Technologies, 2751 Prosperity Ave. Suite 460 Fairfax, Virginia 22031
ONR Global, 86 Blenheim Cres, Ruislip HA4 7HB, United Kingdom
Mechatronics R&D Center, Samsung Electronics Co., Ltd, 1-1 Samsungjeonja-ro, Hwaseong-si, Gyeonggi-do 18448, South Korea
Department of Electrical Engineering and Computer Science, University of Michigan, 1301 Beal Ave., Ann Arbor, Michigan 48109-2122

Конкурентные преимущества