Назад

Разработка не охлаждаемых высокотемпературных ИК-приемников на основе тонких пленок CdSxSe1–x, легированных примесями Cu, Ce, Sb

Идея или концепция
Новые производственные технологии
Технологии моделирования и разработки материалов с заданными свойствами
Фотоника
TechNet
Республика Дагестан
Дагестанский государственный университет
Цифровой профиль команды

Описание проекта

ИК-датчики это высокотехнологичный продукт, который помогает предприятиям в сфере производства БПЛА и приборов ночного виденья решать проблему зависимости от импорта и преодолевать технологические ограничения, связанные с необходимостью охлаждения датчиков, при помощи технологии получения ИК-приемников на основе тонких пленок легированных примесями Cu, Ce, Sb, что позволяет предприятиям сократить потери на 30+ млн. руб. в год.

Целевая аудитория: производители БПЛА и приборов ночного видения.

Проблема: зависимость от импорта приводит к потерям времени на доставку до 90 дней и невозможностью удовлетворить спрос, что ведет к потерям в размере 6 млн. руб, приводит к необходимости страховать риски связанные с курсом валют в размере 1.2 млн. руб, риску лишиться прибыли из-за невозможности приобрести импортные датчики до 24 млн. руб. Фотоприемники, работающие в данной области спектра, имеют сложную структуру и технологию изготовления. Кроме того, для их эффективной работы при более высоких температурах необходима дополнительная система охлаждения.

Решение: ИК-датчик на основе новой производственной технологии создания неохлаждаемых приемников ближнего ИК-диапазона, способных работать при температурах выше комнатной, без систем охлаждения. 

Технология: В рамках стартап-проекта планируется реализация ИК-приемника на основе тонких пленок состава CdSxSe1–x: Cu, Ce, Sb. Для получения тонких пленок в работе будет использован метод магнетронного распыления многокомпонентной мишени, получаемой горячим прессованием в инертной атмосфере.

Сейчас: На физическом факультете ДГУ проведены поисковые исследования для подбора примесей с целью совместного легирования монокристалла CdSxSe1–x и создания на его основе высокочувствительного и высокотемпературного ИК-приемника. В результате получены образцы высокочувствительных неохлаждаемых ИК-приемников (фоторезисторов) методом совместного легирования исходных монокристаллов CdSxSe1–x примесями Cu, Ce, Sb. Они работают в ближней ИК-области (1,2 эВ), сохраняют работоспособность до температуры 410 К. В рамках реализации стартап-проекта проведено тестирование гипотез о целевой аудитории, проблеме и создаваемой ценности. Проведен базовый анализ рынка и конкурентов, составлена финансовая модель проекта.

В будущем: Современное предприятие по производству высокотехнологичного продукта - ИК-приемника. В ближайшей перспективе будет продолжено тестирование продуктовых гипотез и поиск наиболее перспективного клиентского сегмента в смежных областях. 

Запрос: Мы ищем индустриальных партнеров для контрактного производтства нашей продукции и создания научно-производственного центра. 

Презентации

Пульс

Пока еще в пульсе нет записей

Достижения

Участник акселератора ПУТП 2023

Команда

Контакты

Экспертная система
НАВЕРХ