Описание проекта
Цели и задачи проекта:
- Создание макета экспериментальной установки.
- Проведение экспериментальных исследований
Ожидаемые результаты:
Контроль качества полупроводниковых структур и приборов, понимание физики процессов, происходящих в них.
Области применения результатов:
научно-техническая область.
Потенциальные потребительские сегменты:
- В промышленности, в качестве экспресс-теста полупроводниковых структур и проборов;
- в научно-технических центрах для проведения исследований;
- а также в учебных заведениях в качестве лабораторных установок.
Метод РСГУ (релаксационная спектроскопия глубоких уровней) позволяет определять глубокие уровни полупроводниковых структур на любом этапе производственного цикла. Исследования глубоких уровней позволяет понять физику процессов, происходящих в них, и для уменьшения дефектообразования выбрать режимы технологического процесса. Обычно метод реализуется на базе университетской лаборатории в виде стенда, состоящего из множества отдельных компонентов. Особенностью разрабатываемой установки является анализ полупроводниковых материалов и приборов на предмет наличия глубоких уровней без использования криогенных установок. В данном комплексе применяется эффект Пельтье, что позволяет снизить стоимость оборудования и проводить исследования при комнатных температурах, а также уменьшить габариты устройства. Технологическое решение, применяемое в разрабатываемой установке, позволяет использовать ее не только в промышленной сфере, но также для лабораторного и учебного анализа полупроводниковых структур.
