Описание проекта
Одной из задач, стоящей перед современной Россией, является создание электронной и полупроводниковой промышленности – это отражено в документе «Стратегия развития электронной промышленности Российской Федерации до 2030 года», утвержденном 17 января 2020 года. Разработка электронных полупроводниковых приборов обязательно включает в себя измерение их параметров, с помощью специализированных средств измерений. Одной из проблем сегодняшнего потребителя в том, что средства измерения полупроводниковых структур и приборов имеют ряд недостатков: высокую стоимость (200 тыс.руб-1 млн.руб), узкий диапазон измерения емкости образцов и измерения напряжения смещения на образце, большие массогабаритные параметры, относительную инструментальную погрешностью измерения напряжения смещения ±0,1 % и ёмкости ± 3 %, что порождает погрешность косвенного измерения параметров полупроводников до десятков процентов. Работа проекта проводится с целью повышения технико – экономической эффективности измерений, повышение конкурентоспособности отечественной информационно-измерительной системы для измерения параметров полупроводниковых структур и приборов на основе существующего научно- технического задела. Существующие методики измерения параметров полупроводников требуют совершенствования и доработки на современном этапе развития автоматизации измерительных процедур, что будет соответствовать требованиям перехода к передовым цифровым, интеллектуальным производственным технологиям, роботизированным системам, новым материалам. С целью выбора оптимальных (по метрологическим показателям) методов косвенных измерений параметров полупроводниковых структур и приборов на основе физических закономерностей с использованием инструментов метрологического, системного анализа будут осуществлены анализ и совершенствование моделей взаимосвязей их свойств. При разработке структуры измерительного блока системы для измерения параметров полупроводниковых структур и приборов будут использованы основы теории электрических цепей, основы схемотехники, теоретическая метрология, физика полупроводниковых структур. Разработка методики измерений вольт-фарадных характеристик полупроводниковых структур и приборов будет базироваться на достигнутых в проекте результатах метрологического анализа, что позволит минимизировать методические погрешности результатов измерений, обусловленные погрешностями адекватности моделей полупроводниковых структур и приборов, ошибками алгоритмов измерительных процедур.
Конечным потребителем инновационного проекта будут выступать крупные/средние/малые предприятия, являющиеся производителями радиоэлектронной техники и функциональной электроники с целью контроля произведённой продукции или разработки новых полупроводниковых структур и изделий на их основе , такие как АО "Завод полупроводниковых приборов" (Йошкар-Ола), АО ««Информационные спутниковые системы» имени академика М.Ф. Решетнёва» (Железногорск), ПАО «Тамбовский завод «Электроприбор»» (Тамбов), ПАО «Арзамасское научно-производственное предприятие «Темп- Авиа»» (Арзамас), АО «Радиозавод» (Кыштым), АО «Сарапульский радиозавод» (Сарапул) и т.д.; высшие учебные заведения для подготовки инженерных кадров в области электроники, приборостроении, машиностроении и т.д; производственные лаборатории, в которых проводятся исследования в области физики полупроводников.
