Описание проекта
Проект направлен и разработку и внедрение нормально закрытого транзистора на основе GaN гетероструктур. Данный прибор обладает рядом приемуществ по сравнению с широко используемыми транзисторами на основе кремния. Такие транзисторы востребованы в сферах, где требуется эффективное управление высокими токами и напряжениями, а также в устройствах, где важна компактность и высокая скорость переключения. За технологическую часть проекта, связанную с изготовлением отвечает Неженцев А.В., в то время как Карцев С.И. отвечает за контроль качества и проведение измерений.
Презентации
Пульс
Пока еще в пульсе нет записей
Достижения
Подал заявку в акселератор ПУТП 2026
Участник акселератора ПУТП 2026
Проходит акселерацию
Команда
Наставники
Трекеры
Эксперты
Кураторы по ТН
Контакты
Следят за проектом
